半導體二極管雙端泵浦高功率紫外激光器專利內

要求（專利）號：CN200810020724.7要求日：2008.02.22
揭露（布告）號：CN101232148揭露（布告）日：2008.07.30
主分類號：H01S3/0941(2006.01)I領域分類：
分類號：H01S3/0941(2006.01)I；H01S3/05(2006.01)I；H01S3/16(2006.01)I；H01S3/109(2006.01)I；H01S3/00(2006.01)I
要求（專利權）人：姑蘇德龍激光有限公司
地址：215021江蘇省姑蘇市工業(yè)園區(qū)蘇虹中路77號
國省代碼：江蘇；32
創(chuàng)造（規(guī)劃）人：趙裕興；李立衛(wèi)；呂楠楠
專利署理組織：南京蘇科專利署理有限責任公司
署理人：陳忠輝；姚姣陽
★ 摘要
   本創(chuàng)造供給半導體二極管雙端泵浦高功率紫外激光器的規(guī)劃辦法，選用兩個半導體二級管構成雙端泵浦激光晶體，輸出808nm泵浦光通過非球面光學耦合系統(tǒng)及透鏡耦合到激光晶體發(fā)生1064nm激光，再通過由五個平面鏡構成的諧振腔進行腔內振動，并由Q開關調制；調制后的1064nm基頻光兩次通過二倍頻晶體進行1064nm基頻光到532nm倍頻光的變換，未完成倍頻變換的1064nm基頻光與532nm倍頻光通過三倍頻晶體和頻，得到的355nm紫外激光從三倍頻晶體布儒斯特角切開的一面輸出。該計劃激光腔內具有較大模體積，倍頻晶體處具有小的激光光斑，三倍頻晶體選用布儒斯特角切開辦法大大減小了腔內損耗，完成高功率激光輸出。
★ 主權項
    半導體二極管雙端泵浦高功率紫外激光器的規(guī)劃辦法，其特征在于：選用兩個半導體二極管(1、9)構成雙端泵浦辦法泵浦激光晶體，其間一個半導體二極管(1)輸出的808nm泵浦光通過由兩個非球面透鏡(2、3)構成的非球面光學耦合系統(tǒng)及透鏡(4)耦合到激光晶體(5)內，另一個半導體二極管(9)輸出的808nm泵浦光通過由兩個非球面透鏡(8、7)構成的非球面光學耦合系統(tǒng)及透鏡(6)也耦合到激光晶體(5)內，發(fā)生的1064nm激光通過由五個平面鏡(11、12、13、14、15)構成的諧振腔進行腔內振動，并由Q開關(10)進行調制；調制的1064nm基頻光兩次通過二倍頻晶體(16)進行1064nm基頻光到532nm倍頻光的變換，未完成二次倍頻變換的剩下1064nm基頻光與532nm倍頻光通過三倍頻晶體(17)進行和頻，得到的355nm紫外激光從三倍頻晶體布儒斯特角切開的一面輸出。
 


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